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加速高熔點鉭離子,鉭板廠家科技加速

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加速高熔點鉭離子,鉭板廠家科技加速

發布日期:2018-04-19 作者: 點擊:

   

鉭離子研究-鉭板廠家科技

   近期,中國科學院近代物理研究所在HIRFL加速器上首次成功加速能量為12.5MeV/u的181Ta31+束流,為國內外30多家用戶的單粒子效應及輻照實驗提供了累計超過200小時的束流,填補了國內單粒子效應實驗工程關鍵考核點空白,是鉭板廠家科技進步的激勵。

  本次成功加速Ta離子,是對蘭州重離子加速器數個工作狀態極限的挑戰。Ta的熔點是2996℃,是高熔點金屬,難以獲得其高離化態、高產額離子束流。此外,Ta離子在注入器SFC加速過程中的磁剛度低、接近設計場強的最低正常工作極限,而在主加速器SSC加速的磁剛度卻很高、接近最大設計磁場。

  超導離子源SECRAL采用雙頻24GHz微波技術與等離子體濺射方法,在低引出電壓的情況下,克服強空間電荷效應產生并引出31+的高電荷態Ta離子束流。在低場強情況下,SFC諧波線圈產生的諧波分量嚴重影響等時場,造成加速軌道形變、引出束流能量偏低,重離子加速器運行人員獨創性地采用了單組諧波線圈(共4組)束流引出技術,實現了標稱能量的束流引出。SSC加速克服了弱流強注入及引出、高場強下等時性變差等難題,成功調出了束流。

  高電荷態重離子Ta束流的加速成功,表明蘭州重離子加速器國家實驗室緊密結合國防重大戰略需求,不斷拓廣輻射源的LET范圍,填補了國內重離子LET從73-87MeV·cm2/mg的空白,實現了75MeV·cm2/mg工程考核點,對開展新材料、新工藝、新結構電子器件的單粒子效應研究,建立新型器件單粒子效應仿真模型和數據庫,提升我國電子器件單粒子效應檢測和評估的能力有著重要意義。


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